
ΝΕΟ M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 συν HYNIX V7
M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7 1. ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ ΠΡΟΪΟΝΤΟΣ Χωρητικότητα − 128 GB, 256 GB, 512 GB, 1024 GB, 2048 GB − Υποστήριξη 32-λειτουργίας διευθυνσιοδότησης bit Ηλεκτρική διασύνδεση διασύνδεσης/P − Συμβατό με NVMe 1.3 − PCIe Express Base Ver 3.1 − PCIe Gen 3 x 4 lane & backward συμβατό με...
M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7
1. ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ ΠΡΟΪΟΝΤΟΣ
Χωρητικότητα
− 128GB, 256GB, 512GB, 1024GB, 2048GB
− Υποστήριξη λειτουργίας διεύθυνσης 32-bit
Ηλεκτρική/Φυσική Διασύνδεση
− Διεπαφή PCIe
− Συμβατό με το NVMe 1.3
− PCIe Express Base Ver 3.1
− PCIe Gen 3 x 4 lane & backward συμβατό με PCIe Gen 2 και Gen 1
− Υποστήριξη έως και QD 128 με βάθος ουράς έως και 64K
− Υποστήριξη διαχείρισης ενέργειας
Υποστηριζόμενο NAND Flash
− Υποστήριξη έως και 16 Flash Chip Enables (CE) σε ένα μόνο σχέδιο
− Υποστήριξη έως και 4 τμχ φλας BGA132
− Υποστήριξη 8-bit I/O NAND Flash
− Υποστήριξη Toggle2.0, Toggle3.0, ONFI 2.3, ONFI 3.0, ONFI 3.2 και ONFI 4.0 διεπαφή.
Samsung V6 3D NAND
Hynix V7 3D NAND
Σχέδιο ECC
− Το HG2283 PCIe SSD εφαρμόζει τον αλγόριθμο LDPC του ECC.
Υποστήριξη μεγέθους τομέα
− 512B
− 4KB
UART/ GPIO
Υποστήριξη εντολών SMART και TRIM
Εύρος LBA
− Πρότυπο IDEMA
Εκτέλεση
Απόδοση HG2283 plus Hynix V7 (1200Mbps)
|
Χωρητικότητα |
Δομή Flash (Πακέτο BGA) |
ΕΚ# |
Τύπος Flash |
Διαδοχική (CDM) |
ΙΟΜετρο |
||
|
Ανάγνωση (MB/s) |
Εγγραφή (MB/s) |
Ανάγνωση (IOPS) |
Εγγραφή (IOPS) |
||||
|
128 GB |
DDP x 1 |
2 |
BGA132, Hynix V7 |
1650 |
1100 |
195K |
260K |
|
256 GB |
DDP x 2 |
4 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
1850 |
360K |
450K |
|
512 GB |
QDP x 2 |
8 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2090 |
360K |
475K |
|
1024 GB |
QDP x 4 |
16 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2200 |
360K |
480K |
|
2048 GB |
ODP x 4 |
16 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2200 |
360K |
480K |
ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ:
1. Η απόδοση βασίστηκε στο Hynix V7 TLC NAND flash.
ΚΑΤΑΝΑΛΩΣΗ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ
|
Χωρητικότητα |
Διαμόρφωση Flash (Πακέτο BGA) |
|
Κατανάλωση ενέργειας3 |
|
|
|
Ανάγνωση (mW) |
Εγγραφή (mW) |
PS3 (mW) |
PS4 (mW) |
||
|
128 GB |
DDP x 1 |
2940 |
2530 |
50 |
5 |
|
256 GB |
DDP x 2 |
4120 |
3400 |
50 |
5 |
|
512 GB |
QDP x 2 |
4090 |
3390 |
50 |
5 |
|
1024 GB |
QDP x 4 |
4050 |
3380 |
50 |
5 |
|
2048 GB |
ODP x 4 |
4440 |
3810 |
50 |
5 |
ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ:
1. Δεδομένα που μετρήθηκαν με βάση το Hynix V7 512Gb mono die TLC Flash.
2. Η κατανάλωση ενέργειας μετράται κατά τη διάρκεια των διαδοχικών εργασιών ανάγνωσης και εγγραφής που εκτελούνται από το IOmeter.
Διαχείριση Flash
1.4.1. Κωδικός διόρθωσης σφάλματος (ECC)
Τα κελιά μνήμης flash θα αλλοιωθούν με τη χρήση, γεγονός που μπορεί να δημιουργήσει τυχαία σφάλματα bit στα αποθηκευμένα δεδομένα. Έτσι, ο HG2283 PCIe SSD εφαρμόζει τον αλγόριθμο LDPC (Low Density Parity Check) του ECC, ο οποίος μπορεί να εντοπίσει και να διορθώσει σφάλματα που προκύπτουν κατά τη διαδικασία ανάγνωσης, να διασφαλίσει τη σωστή ανάγνωση των δεδομένων και να προστατεύσει τα δεδομένα από καταστροφή.
1.4.2. Φορέστε ισοπεδωτική
Οι συσκευές flash NAND μπορούν να υποβληθούν σε περιορισμένο αριθμό κύκλων προγραμμάτων/διαγραφής, όταν τα μέσα flash δεν χρησιμοποιούνται ομοιόμορφα, ορισμένα μπλοκ ενημερώνονται πιο συχνά από άλλα και η διάρκεια ζωής της συσκευής θα μειωθεί σημαντικά. Έτσι, εφαρμόζεται ισοπέδωση φθοράς για να παρατείνει τη διάρκεια ζωής του φλας NAND κατανέμοντας ομοιόμορφα τους κύκλους εγγραφής και διαγραφής στα μέσα.
Το HosinGlobal παρέχει προηγμένο αλγόριθμο ισοπέδωσης φθοράς, ο οποίος μπορεί να κατανείμει αποτελεσματικά τη χρήση του φλας σε ολόκληρη την περιοχή των μέσων flash. Επιπλέον, με την εφαρμογή τόσο δυναμικών όσο και στατικών αλγορίθμων ισοπέδωσης φθοράς, το προσδόκιμο ζωής του φλας NAND βελτιώνεται σημαντικά.
1.4.3. Κακή διαχείριση μπλοκ
Τα κακά μπλοκ είναι μπλοκ που δεν λειτουργούν σωστά ή περιέχουν περισσότερα άκυρα bit που προκαλούν ασταθή στα αποθηκευμένα δεδομένα και η αξιοπιστία τους δεν είναι εγγυημένη. Τα μπλοκ που αναγνωρίζονται και επισημαίνονται ως κακά από τον κατασκευαστή αναφέρονται ως "Πρώιμα κακά μπλοκ". Τα κακά μπλοκ που αναπτύσσονται κατά τη διάρκεια ζωής του flash ονομάζονται "Later Bad Blocks". Το HosinGlobal εφαρμόζει έναν αποτελεσματικό αλγόριθμο διαχείρισης κακών μπλοκ για τον εντοπισμό των ακατάλληλων μπλοκ που παράγονται από το εργοστάσιο και διαχειρίζεται τα κακά μπλοκ που εμφανίζονται κατά τη χρήση. Αυτή η πρακτική αποτρέπει την αποθήκευση δεδομένων σε κακά μπλοκ και βελτιώνει περαιτέρω την αξιοπιστία των δεδομένων.
1.4.4. ΤΑΚΤΟΠΟΙΗΣΗ
Το TRIM είναι ένα χαρακτηριστικό που βοηθά στη βελτίωση της απόδοσης ανάγνωσης/εγγραφής και της ταχύτητας των μονάδων SSD. Σε αντίθεση με τις μονάδες σκληρού δίσκου (HDD), οι SSD δεν μπορούν να αντικαταστήσουν τα υπάρχοντα δεδομένα, επομένως ο διαθέσιμος χώρος σταδιακά μειώνεται με κάθε χρήση. Με την εντολή TRIM, το λειτουργικό σύστημα μπορεί να ενημερώσει το SSD έτσι ώστε μπλοκ δεδομένων που δεν χρησιμοποιούνται πλέον να αφαιρεθούν οριστικά. Έτσι, ο SSD θα εκτελέσει την ενέργεια διαγραφής, η οποία εμποδίζει τα αχρησιμοποίητα δεδομένα να καταλαμβάνουν μπλοκ ανά πάσα στιγμή.
1.4.5. ΕΞΥΠΝΟΣ
Το SMART, ένα ακρωνύμιο για την Τεχνολογία Αυτοελέγχου, Ανάλυσης και Αναφοράς, είναι ένα ανοιχτό πρότυπο που επιτρέπει σε μια μονάδα στερεάς κατάστασης να ανιχνεύει αυτόματα την υγεία της και να αναφέρει πιθανές βλάβες. Όταν μια αποτυχία καταγράφεται από το SMART, οι χρήστες μπορούν να επιλέξουν να αντικαταστήσουν τη μονάδα δίσκου για να αποτρέψουν απροσδόκητη διακοπή λειτουργίας ή απώλεια δεδομένων. Επιπλέον, το SMART μπορεί να ενημερώσει τους χρήστες για επικείμενες αποτυχίες όσο υπάρχει ακόμη χρόνος για να εκτελέσουν προληπτικές ενέργειες, όπως αποθήκευση δεδομένων σε άλλη συσκευή.
1.4.6. Υπερ-Παροχή
Η Over Provisioning αναφέρεται στη διατήρηση πρόσθετης περιοχής πέρα από τη χωρητικότητα του χρήστη σε έναν SSD, η οποία δεν είναι ορατή στους χρήστες και δεν μπορεί να χρησιμοποιηθεί από αυτούς. Ωστόσο, επιτρέπει σε έναν ελεγκτή SSD να χρησιμοποιεί επιπλέον χώρο για καλύτερη απόδοση και WAF. Με το Over Provisioning, η απόδοση και το IOPS (Λειτουργίες Εισόδου/Εξόδου ανά δευτερόλεπτο) βελτιώνονται παρέχοντας στον ελεγκτή επιπλέον χώρο για τη διαχείριση των κύκλων P/E, που ενισχύει επίσης την αξιοπιστία και την αντοχή. Επιπλέον, η ενίσχυση εγγραφής του SSD γίνεται χαμηλότερη όταν το
ο ελεγκτής γράφει δεδομένα στο φλας.
1.4.7. Αναβάθμιση υλικολογισμικού
Το υλικολογισμικό μπορεί να θεωρηθεί ως ένα σύνολο οδηγιών σχετικά με τον τρόπο επικοινωνίας της συσκευής με τον κεντρικό υπολογιστή. Το υλικολογισμικό θα μπορεί να αναβαθμιστεί όταν προστεθούν νέες δυνατότητες, διορθωθούν προβλήματα συμβατότητας ή βελτιωθεί η απόδοση ανάγνωσης/εγγραφής.
1.4.8. Θερμικός στραγγαλισμός
Ο σκοπός του θερμικού στραγγαλισμού είναι να αποτρέψει την υπερθέρμανση οποιωνδήποτε εξαρτημάτων σε έναν SSD κατά τη διάρκεια των εργασιών ανάγνωσης και εγγραφής. Το HG2283 έχει σχεδιαστεί με θερμικό αισθητήρα on-die και με την ακρίβειά του. Το υλικολογισμικό μπορεί να εφαρμόσει διαφορετικά επίπεδα στραγγαλισμού για να επιτύχει τον σκοπό της προστασίας αποτελεσματικά και προληπτικά μέσω SMART ανάγνωσης.
1.5. Προηγμένες λειτουργίες ασφαλείας συσκευής
1.5.1. Ασφαλής διαγραφή
Το Secure Erase είναι μια τυπική εντολή μορφής NVMe και θα γράψει όλα τα "0x00" για να διαγράψει πλήρως όλα τα δεδομένα σε σκληρούς δίσκους και SSD. Όταν εκδοθεί αυτή η εντολή, ο ελεγκτής SSD θα διαγράψει τα μπλοκ αποθήκευσης και θα επιστρέψει στις εργοστασιακές προεπιλεγμένες ρυθμίσεις του.
1.5.2. Διαγραφή κρυπτογράφησης
Το Crypto Erase είναι μια δυνατότητα που διαγράφει όλα τα δεδομένα ενός SSD ενεργοποιημένου με OPAL ή μιας μονάδας δίσκου "SED" (Security-Enabled Disk) επαναφέροντας το κρυπτογραφικό κλειδί του δίσκου. Εφόσον το κλειδί έχει τροποποιηθεί, τα προηγουμένως κρυπτογραφημένα δεδομένα θα καταστούν άχρηστα, επιτυγχάνοντας τον σκοπό της ασφάλειας των δεδομένων.
1.5.3. SID φυσικής παρουσίας (PSID)
Το Physical Presence SID (PSID) ορίζεται από το TCG OPAL ως 32-συμβολοσειρά χαρακτήρων και σκοπός είναι η επαναφορά του SSD στη ρύθμιση κατασκευής του όταν η μονάδα είναι ακόμα ενεργοποιημένη με OPAL. Ο κωδικός PSID μπορεί να εκτυπωθεί σε μια ετικέτα SSD όταν ένας SSD ενεργοποιημένος με OPAL υποστηρίζει τη δυνατότητα επαναφοράς PSID.
1.6. SSD Lifetime Management
1.6.1. Terabytes Written (TBW)
Το TBW (Terabytes Written) είναι μια μέτρηση της αναμενόμενης διάρκειας ζωής των SSD, η οποία αντιπροσωπεύει τον όγκο δεδομένων
γραμμένο στη συσκευή. Για τον υπολογισμό του TBW ενός SSD, εφαρμόζεται η ακόλουθη εξίσωση:
ΤΒΓ = [(NAND Αντοχή) x (Χωρητικότητα SSD)] / [WAF]
NAND Αντοχή: Η αντοχή NAND αναφέρεται στον κύκλο P/E (Πρόγραμμα/Διαγραφή) ενός φλας NAND.
Χωρητικότητα SSD: Η χωρητικότητα του SSD είναι η συγκεκριμένη χωρητικότητα συνολικά ενός SSD.
WAF: Ο συντελεστής ενίσχυσης εγγραφής (WAF) είναι μια αριθμητική τιμή που αντιπροσωπεύει την αναλογία μεταξύ της ποσότητας δεδομένων που χρειάζεται να γράψει ένας ελεγκτής SSD και της ποσότητας δεδομένων που γράφει ο ελεγκτής flash του κεντρικού υπολογιστή. Ένα καλύτερο WAF, το οποίο είναι κοντά στο 1, εγγυάται καλύτερη αντοχή και χαμηλότερη συχνότητα δεδομένων που εγγράφονται στη μνήμη flash.
Το TBW σε αυτό το έγγραφο βασίζεται στο φόρτο εργασίας JEDEC 218/219.
1.6.2. Ένδειξη φθοράς πολυμέσων
Ο δείκτης πραγματικής ζωής που αναφέρεται από το Ευρετήριο byte Χαρακτηριστικών SMART [5], Ποσοστό χρήσης, συνιστά στον χρήστη να αντικαταστήσει τη μονάδα δίσκου όταν φτάσει στο 100 τοις εκατό .
1.6.3. Λειτουργία μόνο για ανάγνωση (Τέλος ζωής)
Όταν η μονάδα παλιώνει λόγω αθροιστικών κύκλων προγραμμάτων/διαγραφής, η φθορά του μέσου εκτύπωσης μπορεί να προκαλέσει αυξανόμενους αριθμούς μεταγενέστερων αστοχιών. Όταν ο αριθμός των χρησιμοποιήσιμων καλών μπλοκ πέσει έξω από ένα καθορισμένο εύρος χρήσης, η μονάδα θα ειδοποιήσει το συμβάν Host μέσω AER και την Κρίσιμη Προειδοποίηση για είσοδο στη λειτουργία Μόνο για ανάγνωση για να αποτρέψει περαιτέρω καταστροφή δεδομένων. Ο χρήστης πρέπει να αρχίσει να αντικαθιστά τη μονάδα δίσκου με άλλη αμέσως.
1.7. Προσαρμοστική προσέγγιση στη ρύθμιση απόδοσης
1.7.1. Διακίνηση
Με βάση τον διαθέσιμο χώρο του δίσκου, το HG2283 θα ρυθμίζει την ταχύτητα ανάγνωσης/εγγραφής και θα διαχειρίζεται την απόδοση της απόδοσης. Όταν εξακολουθεί να υπάρχει πολύς χώρος, το υλικολογισμικό θα εκτελεί συνεχώς ενέργεια ανάγνωσης/εγγραφής. Εξακολουθεί να μην χρειάζεται να εφαρμοστεί η συλλογή απορριμμάτων για την εκχώρηση και την απελευθέρωση μνήμης, η οποία θα επιταχύνει την επεξεργασία ανάγνωσης/εγγραφής για βελτίωση της απόδοσης. Αντίθετα, όταν ο χώρος πρόκειται να εξαντληθεί, το HG2283 θα επιβραδύνει την επεξεργασία ανάγνωσης/εγγραφής και θα εφαρμόσει τη συλλογή σκουπιδιών για να απελευθερώσει τη μνήμη. Ως εκ τούτου, η απόδοση ανάγνωσης/εγγραφής θα γίνει πιο αργή.
1.7.2. Πρόβλεψη & Ανάκτηση
Κανονικά, όταν ο κεντρικός υπολογιστής προσπαθεί να διαβάσει δεδομένα από το PCIe SSD, το PCIe SSD θα εκτελέσει μόνο μία ενέργεια ανάγνωσης αφού λάβει μία εντολή. Ωστόσο, το HG2283 εφαρμόζει το Predict & Fetch για να βελτιώσει την ταχύτητα ανάγνωσης. Όταν ο κεντρικός υπολογιστής εκδίδει διαδοχικές εντολές ανάγνωσης στο PCIe SSD, το PCIe SSD θα αναμένει αυτόματα ότι οι ακόλουθες εντολές θα αναγνωσθούν επίσης. Έτσι, πριν λάβει την επόμενη εντολή, το flash έχει ήδη προετοιμάσει τα δεδομένα. Κατά συνέπεια, αυτό επιταχύνει τον χρόνο επεξεργασίας δεδομένων και ο κεντρικός υπολογιστής δεν χρειάζεται να περιμένει τόσο πολύ για να λάβει δεδομένα.
1.7.3. SLC Caching
Ο σχεδιασμός υλικολογισμικού του HG2283 υιοθετεί αυτήν τη στιγμή τη δυναμική αποθήκευση στην κρυφή μνήμη για καλύτερη απόδοση για καλύτερη αντοχή και εμπειρία χρήστη των καταναλωτών.
3.1. Περιβαλλοντικές Συνθήκες 3.1.1. Θερμοκρασία και Υγρασία
Πίνακας 3-1 Υψηλή θερμοκρασία
|
|
Θερμοκρασία |
Υγρασία |
|
Λειτουργία |
70 μοίρες |
0 τοις εκατό RH |
|
Αποθήκευση |
85 μοίρες |
0 τοις εκατό RH |
Πίνακας 3-2 Χαμηλή θερμοκρασία
|
|
Θερμοκρασία |
Υγρασία |
|
Λειτουργία |
0 βαθμός |
0 τοις εκατό RH |
|
Αποθήκευση |
-40 βαθμός |
0 τοις εκατό RH |
Πίνακας 3-3 Υψηλή υγρασία
|
|
Θερμοκρασία |
Υγρασία |
|
Λειτουργία |
40 μοίρες |
90 τοις εκατό RH |
|
Αποθήκευση |
40 μοίρες |
93 τοις εκατό RH |
Πίνακας 3-4 Κύκλος θερμοκρασίας
|
|
Θερμοκρασία |
|
Λειτουργία |
0 βαθμός |
|
70 μοίρες1 |
|
|
Αποθήκευση |
-40 βαθμός |
|
85 μοίρες |
Σημειώσεις:
1. Η θερμοκρασία λειτουργίας μετριέται από τη θερμοκρασία θήκης, στην οποία μπορεί να αποφασιστεί μέσω του προτεινόμενου SMART Airflow και θα επιτρέψει τη λειτουργία της συσκευής στην κατάλληλη θερμοκρασία για κάθε εξάρτημα σε περιβάλλον μεγάλου φόρτου εργασίας.
3.1.2. Αποπληξία
Πίνακας 3-5 Σοκ
|
|
Δύναμη Επιτάχυνσης |
|
Μη λειτουργικό |
1500G |
3.1.3. Δόνηση
Πίνακας 3-6 Δόνηση
|
|
Κωνδ |
ιόν |
|
Συχνότητα/Μετατόπιση |
Συχνότητα/Επιτάχυνση |
|
|
Μη λειτουργικό |
20Hz~80Hz/1,52mm |
80Hz~2000Hz/20G |
3.1.4. Πτώση
Απόθεση πίνακα 3-7
|
|
|
Ύψος πτώσης |
|
|
Αριθμός πτώσης |
|
Μη λειτουργικό |
|
80cm ελεύθερη πτώση |
|
|
6 όψεις κάθε μονάδας |
|
3.1.5. Κάμψη |
Πίνακας 3-8 Κάμψη |
|
|
||
|
|
|
Δύναμη |
|
|
Δράση |
|
Μη λειτουργικό |
|
Μεγαλύτερο ή ίσο με 20Ν |
|
|
Κρατήστε 1 λεπτό/5 φορές |
|
3.1.6. Ροπή |
Πίνακας 3-9 Ροπή |
|
|
||
|
|
|
Δύναμη |
|
|
Δράση |
|
Μη λειτουργικό |
|
0.5N-m ή ±2,5 deg |
|
|
Κρατήστε 1 λεπτό/5 φορές |
|
3.1.7. Ηλεκτροστατική εκκένωση (ESD) |
Πίνακας 3-10 ESD |
|
|
||
|
Προσδιορισμός |
|
|
συν /- 4KV |
|
|
|
EN 55024, CISPR 24 EN 61000-4-2 και IEC 61000-4-2 |
Οι λειτουργίες της συσκευής επηρεάζονται, αλλά το EUT θα επανέλθει αυτόματα στην κανονική ή λειτουργική του κατάσταση. |
||||
4. ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
4.1. Τάση τροφοδοσίας
Πίνακας 4-1 Τάση τροφοδοσίας
|
Παράμετρος |
Εκτίμηση |
|
Τάση λειτουργίας |
Ελάχ.=3.14 V Μέγιστο=3.47 V |
|
Χρόνος ανόδου (Μέγ./Ελάχιστο) |
10 ms / 0,1 ms |
|
Φθινοπωρινή ώρα (Μέγ./Ελάχιστο) |
1500 MS / 1 ΚΜ |
|
Ελάχ. Εκτός χρόνου1 |
1500 ms |
ΣΗΜΕΙΩΣΗ:
1. Ελάχιστος χρόνος μεταξύ της απομάκρυνσης ισχύος από τον SSD (Vcc < 100 mV) και της επαναχρησιμοποίησης ισχύος στη μονάδα.
4.2. Κατανάλωση ενέργειας
Πίνακας 4-2 Κατανάλωση ενέργειας σε mW
|
Χωρητικότητα |
Διαμόρφωση Flash |
ΕΚ# |
Ανάγνωση (Μέγ.) |
Γράψτε (Μέγ.) |
Ανάγνωση (Μέσος όρος) |
Γράψτε (μέσος όρος) |
|
128 GB |
DDP x 1 |
2 |
3200 |
2930 |
2940 |
2530 |
|
256 GB |
DDP x 2 |
4 |
4650 |
4560 |
4120 |
3400 |
|
512 GB |
QDP x 2 |
8 |
5260 |
4190 |
4090 |
3390 |
|
1024 GB |
QDP x 4 |
16 |
5350 |
6070 |
4050 |
3380 |
|
2048 GB |
ODP x 4 |
16 |
6320 |
6650 |
4440 |
3810 |
ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ:
Βασίζεται στη σειρά APF1Mxxx σε θερμοκρασία περιβάλλοντος.
Η μέση τιμή κατανάλωσης ισχύος επιτυγχάνεται με βάση την απόδοση μετατροπής 100%.
Η μετρούμενη τάση ισχύος είναι 3,3 V.
Η θερμοκρασία μιας συσκευής αποθήκευσης στο PS1 θα πρέπει να παραμείνει σταθερή ή θα πρέπει να μειωθεί ελαφρώς για όλους τους φόρτους εργασίας, επομένως η πραγματική ισχύς στο PS1 θα πρέπει να είναι χαμηλότερη από PS0.
Η θερμοκρασία μιας συσκευής αποθήκευσης στο PS2 θα πρέπει να μειωθεί απότομα για όλους τους φόρτους εργασίας, επομένως η πραγματική ισχύς στο PS2 θα πρέπει να είναι χαμηλότερη από το PS1.
5. INTERFACE
5.1. Ανάθεση καρφίτσας και περιγραφές
Ο πίνακας {{0}} ορίζει την εκχώρηση σήματος της εσωτερικής υποδοχής NGFF για χρήση SSD, που περιγράφεται στην έκδοση 1.0 της προδιαγραφής PCI Express M.2 του PCI-SIG.
Πίνακας 5-1 Εκχώρηση καρφίτσας και περιγραφή του HG2283 M.2 2280
|
Καρφίτσα Όχι. |
PCIe PIN |
Περιγραφή |
|
1 |
GND |
CONFIG_3=GND |
|
2 |
3.3V |
Πηγή 3,3 V |
|
3 |
GND |
Εδαφος |
|
4 |
3.3V |
Πηγή 3,3 V |
|
5 |
PETn3 |
Διαφορικό σήμα PCIe TX που ορίζεται από την προδιαγραφή PCI Express M.2 |
|
6 |
N/C |
Καμία σύνδεση |
|
7 |
PETp3 |
Διαφορικό σήμα PCIe TX που ορίζεται από την προδιαγραφή PCI Express M.2 |
|
8 |
N/C |
Καμία σύνδεση |
|
9 |
GND |
Εδαφος |
|
10 |
LED1# |
Ανοιχτή αποστράγγιση, ενεργό χαμηλό σήμα. Αυτά τα σήματα χρησιμοποιούνται για να επιτρέπουν στην πρόσθετη κάρτα να παρέχει ενδείξεις κατάστασης μέσω συσκευών LED που θα παρέχονται από το σύστημα. |
|
11 |
PERn3 |
Διαφορικό σήμα PCIe RX που ορίζεται από την προδιαγραφή PCI Express M.2 |
|
12 |
3.3V |
Πηγή 3,3 V |
|
13 |
PERp3 |
Διαφορικό σήμα PCIe RX που ορίζεται από την προδιαγραφή PCI Express M.2 |
|
14 |
3.3V |
Πηγή 3,3 V |
|
15 |
GND |
Εδαφος |
|
16 |
3.3V |
Πηγή 3,3 V |
|
17 |
PETn2 |
Διαφορικό σήμα PCIe TX που ορίζεται από την προδιαγραφή PCI Express M.2 |
|
18 |
3.3V |
Πηγή 3,3 V |
|
19 |
PETp2 |
Διαφορικό σήμα PCIe TX που ορίζεται από την προδιαγραφή PCI Express M.2 |
|
20 |
N/C |
Καμία σύνδεση |
|
21 |
GND |
Εδαφος |
|
22 |
N/C |
Καμία σύνδεση |
|
23 |
PERn2 |
Διαφορικό σήμα PCIe RX που ορίζεται από την προδιαγραφή PCI Express M.2 |
|
24 |
N/C |
Καμία σύνδεση |
|
25 |
PERp2 |
Διαφορικό σήμα PCIe RX που ορίζεται από την προδιαγραφή PCI Express M.2 |
|
26 |
N/C |
Καμία σύνδεση |
|
27 |
GND |
Εδαφος |
|
28 |
N/C |
Καμία σύνδεση |
|
29 |
PETn1 |
Διαφορικό σήμα PCIe TX που ορίζεται από την προδιαγραφή PCI Express M.2 |
|
30 |
N/C |
Καμία σύνδεση |
|
31 |
PETp1 |
Διαφορικό σήμα PCIe TX που ορίζεται από την προδιαγραφή PCI Express M.2 |
|
32 |
GND |
Εδαφος |
|
33 |
GND |
Εδαφος |
|
34 |
N/C |
Καμία σύνδεση |
|
35 |
PERn1 |
Διαφορικό σήμα PCIe RX που ορίζεται από την προδιαγραφή PCI Express M.2 |
|
36 |
N/C |
Καμία σύνδεση |
|
37 |
PERp1 |
Διαφορικό σήμα PCIe RX που ορίζεται από την προδιαγραφή PCI Express M.2 |
|
Καρφίτσα Όχι. |
PCIe PIN |
Περιγραφή |
|
38 N/C |
Καμία σύνδεση |
|
|
39 ΓΝΔ |
Εδαφος |
|
|
40 SMB_CLK (I/O) (0/1,8V) |
Ρολόι SMBus; Ανοίξτε το Drain με pull-up στην πλατφόρμα |
|
|
41 |
PETn0 |
Διαφορικό σήμα PCIe TX που ορίζεται από την προδιαγραφή PCI Express M.2 |
|
42 |
SMB{{0}}ΔΕΔΟΜΕΝΑ (I/O) (0/1,8V) |
Δεδομένα SMBus. Ανοίξτε το Drain με pull-up στην πλατφόρμα. |
|
43 |
PETp0 |
Διαφορικό σήμα PCIe TX που ορίζεται από την προδιαγραφή PCI Express M.2 |
|
44 |
ALERT#(O) (0/1,8V) |
Ειδοποίηση ειδοποίησης στον κύριο Ανοίξτε το Drain με pull-up στην πλατφόρμα. Ενεργό χαμηλό. |
|
45 |
GND |
Εδαφος |
|
46 |
N/C |
Καμία σύνδεση |
|
47 |
PERn0 |
Διαφορικό σήμα PCIe RX που ορίζεται από την προδιαγραφή PCI Express M.2 |
|
48 |
N/C |
Καμία σύνδεση |
|
49 |
PERp0 |
Διαφορικό σήμα PCIe RX που ορίζεται από την προδιαγραφή PCI Express M.2 |
|
50 |
PERST#(I)(0/3,3V) |
Το PE-Reset είναι μια λειτουργική επαναφορά της κάρτας όπως ορίζεται από την προδιαγραφή PCIe Mini CEM. |
|
51 |
GND |
Εδαφος |
|
52 |
CLKREQ#(I/O)(0/3,3V) |
Το Clock Request είναι ένα σήμα αιτήματος ρολογιού αναφοράς όπως ορίζεται από την προδιαγραφή PCIe Mini CEM. Χρησιμοποιείται επίσης από υπο-κράτη L1 PM. |
|
53 |
REFCLKn |
Σήματα ρολογιού αναφοράς PCIe (100 MHz) που ορίζονται από την προδιαγραφή PCI Express M.2. |
|
54 |
PEWAKE#(I/O)(0/3,3V) |
PCIe PME Wake. Ανοίξτε την αποστράγγιση με έλξη στην πλατφόρμα. Ενεργό Χαμηλό. |
|
55 |
REFCLKp |
Σήματα ρολογιού αναφοράς PCIe (100 MHz) που ορίζονται από την προδιαγραφή PCI Express M.2. |
|
56 |
Με κράτηση για MFG DATA |
Γραμμή δεδομένων παραγωγής. Χρησιμοποιείται μόνο για την κατασκευή SSD. Δεν χρησιμοποιείται σε κανονική λειτουργία. Οι ακίδες πρέπει να μείνουν N/C στην υποδοχή πλατφόρμας. |
|
57 |
GND |
Εδαφος |
|
58 |
Με κράτηση για MFG CLOCK |
Κατασκευαστική γραμμή ρολογιού. Χρησιμοποιείται μόνο για την κατασκευή SSD. Δεν χρησιμοποιείται σε κανονική λειτουργία. Οι ακίδες πρέπει να μείνουν N/C στην υποδοχή πλατφόρμας. |
|
59 |
Κλειδί ενότητας Μ |
Κλειδί μονάδας |
|
60 |
Κλειδί ενότητας Μ |
|
|
61 |
Κλειδί ενότητας Μ |
|
|
62 |
Κλειδί ενότητας Μ |
|
|
63 |
Κλειδί ενότητας Μ |
|
|
64 |
Κλειδί ενότητας Μ |
|
|
65 |
Κλειδί ενότητας Μ |
|
|
66 |
Κλειδί ενότητας Μ |
|
|
67 |
N/C |
Καμία σύνδεση |
|
68 |
SUSCLK(32KHz) (I)(0/3.3V) |
Είσοδος παροχής ρολογιού 32,768 kHz που παρέχεται από το chipset της πλατφόρμας για μείωση της ισχύος και του κόστους για τη μονάδα. |
|
69 |
NC |
CONFIG_1=Δεν υπάρχει σύνδεση |
|
70 |
3.3V |
Πηγή 3,3 V |
|
71 |
GND |
Εδαφος |
|
72 |
3.3V |
Πηγή 3,3 V |
|
73 |
GND |
Εδαφος |
|
74 |
3.3V |
Πηγή 3,3 V |
|
75 |
GND |
CONFIG_2=Γείωση |
Παράγοντας μορφής: M.2 2280 S2
Διαστάσεις: 80.00mm (Μ) x 22.00mm (Π) x 2.15 mm (Υ)
|
Προβολή κατεύθυνσης |
Διάγραμμα |
|
Μπλουζα |
![]()
|
|
Κάτω μέρος |
|
|
Προβολή κατεύθυνσης |
Διάγραμμα |
|
Πλευρά |
|
|
|
|

Σχήμα 7-1 Μηχανικό διάγραμμα και διαστάσεις προϊόντος
8. ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ ΕΦΑΡΜΟΓΗΣ
8.1. Προφυλάξεις χειρισμού Συσκευασία ζυγαριάς τσιπ σε επίπεδο Wafer (WLCSP).
Υπάρχουν πολλά εξαρτήματα συναρμολογημένα σε μία μόνο συσκευή SSD. Χειριστείτε τη μονάδα με προσοχή, ειδικά όταν έχει εξαρτήματα WLCSP (Wafer Level Chip Scale Packaging) όπως PMIC, θερμικός αισθητήρας ή διακόπτης φορτίου. Το WLCSP είναι μία από τις τεχνολογίες συσκευασίας που έχει υιοθετηθεί ευρέως για τη δημιουργία μικρότερων αποτυπωμάτων, αλλά τυχόν χτυπήματα ή γρατσουνιές μπορεί να προκαλέσουν ζημιά σε αυτά τα εξαιρετικά μικρά εξαρτήματα, επομένως συνιστάται ανεπιφύλακτα ο απαλός χειρισμός.
ΜΗΝ ΠΕΤΑΣΕΤΕ SSD
ΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΗ SSD ΜΕ ΠΡΟΣΟΧΗ
TORE SSD ΣΕ ΣΩΣΤΟ ΠΑΚΕΤΟ
8.2. Κλειδί M M.2 Προφυλάξεις συναρμολόγησης SSD
M Key M.2 SSD (Εικόνα 1) είναι συμβατό μόνο με την υποδοχή M Key (Εικόνα 2). Όπως φαίνεται στην Περίπτωση Χρήσης 2, η κακή χρήση μπορεί να προκαλέσει σοβαρές ζημιές στο SSD, συμπεριλαμβανομένης της εξάντλησης.
Εικόνα 8-1 M Key M.2 Προφυλάξεις συναρμολόγησης

Δημοφιλείς Ετικέτες: NEW M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7, Κίνα NEW M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7
Αποστολή ερώτησής
















